摻鎵坩堝,顧名思義,即針對(duì)佑鑫石英摻鎵工藝單晶硅生長用石英坩堝,其在多次拉晶過程中,可提高引晶成功率、降低佑鑫石英收尾位錯(cuò)以及降低硅棒氧含量,相對(duì)于普通工藝的石英坩堝而言,有更加優(yōu)秀的表現(xiàn),同時(shí)也彌補(bǔ)了摻鎵工藝單晶硅拉制過程中需要在石英坩堝內(nèi)摻入鋇粉帶來的缺點(diǎn)。
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